光刻膠拋光液超高速分散機

產(chǎn)品型號： GMD2000

所屬分類：德國分散機

更新時間：2024-11-22

簡要描述：光刻膠拋光液超高速分散機新的結(jié)構(gòu)設計，將膠體磨和分散機一體化的設備，膠體磨磨頭+分散盤定轉(zhuǎn)子，先研磨后分散效果更佳。

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光刻膠拋光液超高速分散機

一、產(chǎn)品名稱關(guān)鍵詞：光刻膠去除劑研磨分散機，高剪切清洗液均質(zhì)機，氧化物拋光液研磨分散機，超高速三級乳化機

二、光刻膠去除劑

根據(jù)光刻膠下游應用領(lǐng)域不同，公司光刻膠去除劑包括集成電路制造用、晶圓級封裝用、LED/OLED用等系列產(chǎn)品，是用于圖形化工藝光刻膠殘留物去除的濕化學品，通過將半導體晶片浸入清洗液中或者利用清洗液沖洗半導體晶片，去除半導體晶片上的光刻膠殘留物。

三、光刻膠去除技術(shù)

隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，其關(guān)鍵尺寸逐漸降低到亞微米。濕法蝕刻工藝因其各向同性蝕刻特性，越來越不能滿足需求，干法蝕刻工藝應運而生。干法蝕刻工藝提供各向異性蝕刻形成金屬線（metal）、通孔（via）的同時，其離子束對光刻膠及鋁硅銅、鋁銅、氧化物非介電質(zhì)材質(zhì)進行轟擊，使其表面形成高度交聯(lián)的光刻膠殘留物，同時因氬氣轟擊反濺作用，側(cè)壁富含金屬材質(zhì)。干法灰化工藝的采用，使其殘留物中含有有機、無機氧化物及其金屬化合物。這就要求光刻膠去除同時具有有機殘留物、無機殘留物以及金屬交聯(lián)殘留物去除能力。

四、光刻膠剝離液氧化物分散問題

在制備光刻膠去除劑中，需要加入一些無機氧化物或金屬化合物，以粉體的形式加入液中，納米的細小顆粒與液體介質(zhì)充分接觸時候，粒子相互之間的團聚力導致粉體出現(xiàn)團聚現(xiàn)象，光刻膠去除劑的技術(shù)要求，需將氧化物粉體在液相中均質(zhì)打開，分散均勻。GRS超高速研磨分散機是我公司德國技術(shù)的主要產(chǎn)品，可很好的解聚，均質(zhì)，分散。得到更穩(wěn)定的懸浮液。

五、GRS超高速研磨分散機的優(yōu)勢

研磨分散機是由電動機通過皮帶傳動帶動轉(zhuǎn)齒（或稱為轉(zhuǎn)子）與相配的定齒（或稱為定子）作相對的高速旋轉(zhuǎn)，被加工物料通過本身的重量或外部壓力（可由泵產(chǎn)生）加壓產(chǎn)生向下的螺旋沖擊力，透過膠體磨定、轉(zhuǎn)齒之間的間隙（間隙可調(diào)）時受到強大的剪切力、摩擦力、高頻振動等物理作用，使物料被有效地乳化、分散和粉碎，達到物料超細粉碎及乳化的效果。
研磨分散機的細化作用一般來說要強于均質(zhì)機，但它對物料的適應能力較強（如高粘度、大顆粒），所以在很多場合下，它用于均質(zhì)機的前道或者用于高粘度的場合。 

六、高剪切研磨分散機

研磨式分散機是由膠體磨,分散機組合而成的高科技產(chǎn)品。
*級由具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的與轉(zhuǎn)子之間的距離。在增強的流體湍流下，凹槽在每級都可以改變方向。
第二級由轉(zhuǎn)定子組成。分散頭的設計也很好地滿足不同粘度的物質(zhì)以及顆粒粒徑的需要。在線式的定子和轉(zhuǎn)子（乳化頭）和批次式機器的工作頭設計的不同主要是因為在對輸送性的要求方面，特別要引起注意的是：在粗精度、中等精度、細精度和其他一些工作頭類型之間的區(qū)別不光是定轉(zhuǎn)子齒的排列，還有一個很重要的區(qū)別是不同工作頭的幾何學特征不一樣。狹槽數(shù)、狹槽寬度以及其他幾何學特征都能改變定子和轉(zhuǎn)子工作頭的不同功能。根據(jù)以往的慣例，依據(jù)以前的經(jīng)驗定工作頭來滿足一個具體的應用。在大多數(shù)情況下，機器的構(gòu)造是和具體應用相匹配的，因而它對制造出終產(chǎn)品是很重要。當不確定一種工作頭的構(gòu)造是否滿足預期的應用。線速度很高，剪切間隙非常小，這樣當物料經(jīng)過的時候，形成的摩擦力就比較劇烈，結(jié)果就是通常所說的濕磨。定轉(zhuǎn)子被制成圓椎形，具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的與轉(zhuǎn)子之間的距離。在增強的流體湍流下，凹槽在每級都可以改變方向。高質(zhì)量的表面拋光和結(jié)構(gòu)材料，可以滿足不同行業(yè)的多種要求

以下為型號表供參考：

光刻膠拋光液超高速分散機